SI7465DP-T1-E3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.2 A, Vds=-60 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 872-3290
- 制造商零件编号:
- SI7465DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB3.544 | RMB10,632.00 |
| 6000 - 6000 | RMB3.485 | RMB10,455.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 872-3290
- 制造商零件编号:
- SI7465DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 16S | |
| 典型关断延迟时间 | 65 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 尺寸 | 5.99 x 5 x 1.12mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.2 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 80 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 16S | ||
典型关断延迟时间 65 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
长度 5.99mm | ||
尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.12mm | ||
系列 TrenchFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN