IRFH7185TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 123 A, Vds=100 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 872-4186
- 制造商零件编号:
- IRFH7185TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB61.21
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RMB69.165
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB12.242 | RMB61.21 |
| 10 - 20 | RMB11.162 | RMB55.81 |
| 25 - 45 | RMB10.442 | RMB52.21 |
| 50 - 95 | RMB9.722 | RMB48.61 |
| 100 + | RMB9.632 | RMB48.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 872-4186
- 制造商零件编号:
- IRFH7185TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 123 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.6V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 160 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2320 pF @ 50 V | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns | |
| 正向跨导 | 117S | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 尺寸 | 6.15 x 5.15 x 1mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 123 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 5.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.6V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 160 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2320 pF @ 50 V | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 5.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 6.5 ns | ||
正向跨导 117S | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.15mm | ||
高度 1mm | ||
尺寸 6.15 x 5.15 x 1mm | ||
系列 HEXFET | ||