SUP90N08-8M2P-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=75 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 873-0970
- 制造商零件编号:
- SUP90N08-8M2P-E3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 10 件）*
RMB153.01
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RMB172.90
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 + | RMB15.301 | RMB153.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-0970
- 制造商零件编号:
- SUP90N08-8M2P-E3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.8V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 15.49mm | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 10.51 x 4.65 x 15.49mm | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns | |
| 正向跨导 | 55S | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3528 pF @ 30 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
最大漏源电阻值 14 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.8V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 15.49mm | ||
系列 TrenchFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm | ||
长度 10.51mm | ||
宽度 4.65mm | ||
典型接通延迟时间 21 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 32 ns | ||
正向跨导 55S | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
典型输入电容值@Vds 3528 pF @ 30 V | ||
- COO (Country of Origin):
- TW