SUP60N06-12P-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=60 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 873-0982
- 制造商零件编号:
- SUP60N06-12P-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 50 件）*
RMB354.40
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 + | RMB7.088 | RMB354.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-0982
- 制造商零件编号:
- SUP60N06-12P-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 19 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 尺寸 | 10.51 x 4.65 x 15.49mm | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1970 pF @ 30 V | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 正向跨导 | 37S | |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 高度 | 15.49mm | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 19 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 100 W | ||
长度 10.51mm | ||
尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.65mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1970 pF @ 30 V | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
正向跨导 37S | ||
典型关断延迟时间 16 ns | ||
高度 15.49mm | ||
系列 TrenchFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN