SI3459BDV-T1-GE3 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.9 A, Vds=-60 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 873-0989
- 制造商零件编号:
- SI3459BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 50 件）*
RMB118.15
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 + | RMB2.363 | RMB118.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-0989
- 制造商零件编号:
- SI3459BDV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 288 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.3 W | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 正向跨导 | 4S | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 350 pF @ -30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.9 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 288 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.3 W | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
正向跨导 4S | ||
宽度 1.7mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 350 pF @ -30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.7 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 45 ns | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
系列 TrenchFET | ||
长度 3.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN