MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -60V;RDS(ON)
- RS 库存编号:
- 873-1125
- 制造商零件编号:
- IRFI9Z34GPBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 10 件）*
RMB114.66
(不含税)
RMB129.57
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年9月07日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 + | RMB11.466 | RMB114.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-1125
- 制造商零件编号:
- IRFI9Z34GPBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 尺寸 | 10.6 x 4.8 x 16mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 正向跨导 | 5.4S | |
| 正向二极管电压 | 6.3V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1100 pF @ -25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 16mm | |
| 长度 | 10.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 42 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.8mm | ||
尺寸 10.6 x 4.8 x 16mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
正向跨导 5.4S | ||
正向二极管电压 6.3V | ||
典型输入电容值@Vds 1100 pF @ -25 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 16mm | ||
长度 10.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN