MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -60V;RDS(ON)
- RS 库存编号:
- 873-1128
- 制造商零件编号:
- IRF9Z14SPBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 50 件）*
RMB326.50
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RMB369.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 + | RMB6.53 | RMB326.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-1128
- 制造商零件编号:
- IRF9Z14SPBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 6.7 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 500 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 43 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 正向跨导 | 1.4S | |
| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 正向二极管电压 | 5.5V | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 6.7 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 500 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 43 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 4.83mm | ||
正向跨导 1.4S | ||
典型关断延迟时间 10 ns | ||
正向二极管电压 5.5V | ||
典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN