MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON)
- RS 库存编号:
- 873-1131
- 制造商零件编号:
- IRFU430APBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
小计（1 包，共 50 件）*
RMB360.35
(不含税)
RMB407.20
(含税)
暂时缺货
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 + | RMB7.207 | RMB360.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 873-1131
- 制造商零件编号:
- IRFU430APBF
- 制造商:
- Vishay Siliconix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay Siliconix | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.7 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 宽度 | 2.39mm | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 典型输入电容值@Vds | 490 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| 正向跨导 | 2.3S | |
| 典型关断延迟时间 | 17 ns | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 8.7 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay Siliconix | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 1.7 Ω | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
宽度 2.39mm | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
典型输入电容值@Vds 490 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V | ||
正向跨导 2.3S | ||
典型关断延迟时间 17 ns | ||
高度 6.22mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 8.7 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX