MMIX1F180N25T , N沟道 MOSFET 晶体管, 132 A, Vds=250 V, 24针 SMPD封装
- RS 库存编号:
- 875-2481
- 制造商零件编号:
- MMIX1F180N25T
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB210.61
(不含税)
RMB237.99
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB210.61 |
| 5 - 9 | RMB195.31 |
| 10 - 19 | RMB181.81 |
| 20 - 39 | RMB175.51 |
| 40 + | RMB170.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 875-2481
- 制造商零件编号:
- MMIX1F180N25T
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 132 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SMPD | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 570 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 23800 pF@ 25 V | |
| 宽度 | 23.25mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 正向跨导 | 150S | |
| 典型关断延迟时间 | 88 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 364 nC @ 10 V | |
| 长度 | 25.25mm | |
| 尺寸 | 25.25 x 23.25 x 5.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 系列 | GigaMOS, HiperFET | |
| 高度 | 5.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 132 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 13 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SMPD | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 24 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 570 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 23800 pF@ 25 V | ||
宽度 23.25mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
正向跨导 150S | ||
典型关断延迟时间 88 ns | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 364 nC @ 10 V | ||
长度 25.25mm | ||
尺寸 25.25 x 23.25 x 5.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
系列 GigaMOS, HiperFET | ||
高度 5.7mm | ||