IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 168 A, SMPD, 贴片安装, 24引脚, MMIX1F230N20T
- RS 库存编号:
- 875-2490
- 制造商零件编号:
- MMIX1F230N20T
- 制造商:
- IXYS
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RMB210.61
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB210.61 |
| 5 - 9 | RMB195.31 |
| 10 - 19 | RMB181.81 |
| 20 - 39 | RMB175.51 |
| 40 + | RMB170.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 875-2490
- 制造商零件编号:
- MMIX1F230N20T
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 168 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | GigaMOS, HiperFET | |
| 封装类型 | SMPD | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大功率耗散 | 600 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 358 nC @ 10 V | |
| 长度 | 25.25mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 23.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 5.7mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 168 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 GigaMOS, HiperFET | ||
封装类型 SMPD | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 24 | ||
最大漏源电阻值 8.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大功率耗散 600 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 358 nC @ 10 V | ||
长度 25.25mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 23.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 5.7mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||