IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 50 A, SMPD, 贴片安装, 9引脚
- RS 库存编号:
- 875-2550
- 制造商零件编号:
- MKE38RK600DFELB
- 制造商:
- IXYS
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小计（1 件）*
RMB147.61
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RMB166.80
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB147.61 |
| 5 - 9 | RMB134.11 |
| 10 - 24 | RMB122.41 |
| 25 - 89 | RMB117.01 |
| 90 + | RMB113.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 875-2550
- 制造商零件编号:
- MKE38RK600DFELB
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | SMPD | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| 长度 | 25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 23mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 5.5mm | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 SMPD | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻值 45 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V | ||
长度 25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 23mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 5.5mm | ||
正向二极管电压 1V | ||