STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 10 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, STD13N65M2
- RS 库存编号:
- 876-5623
- 制造商零件编号:
- STD13N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB61.21
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.242 | RMB61.21 |
| 50 - 245 | RMB9.722 | RMB48.61 |
| 250 - 495 | RMB9.362 | RMB46.81 |
| 500 - 2495 | RMB6.386 | RMB31.93 |
| 2500 + | RMB6.26 | RMB31.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5623
- 制造商零件编号:
- STD13N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10 | |
| 最大漏源电压 Vd | 650 | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 正向电压 Vf | 1.6 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 6.6 | |
| 高度 | 2.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 10 | ||
最大漏源电压 Vd 650 | ||
系列 MDmesh M2 | ||
包装类型 DPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
正向电压 Vf 1.6 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 6.6 | ||
高度 2.4 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN