STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=650 V, 12 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚, STF18N65M2
- RS 库存编号:
- 876-5641
- 制造商零件编号:
- STF18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB79.21
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RMB89.505
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB15.842 | RMB79.21 |
| 25 - 120 | RMB12.602 | RMB63.01 |
| 125 - 245 | RMB12.242 | RMB61.21 |
| 250 - 995 | RMB8.278 | RMB41.39 |
| 1000 + | RMB8.114 | RMB40.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5641
- 制造商零件编号:
- STF18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 330 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 25 W | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
系列 MDmesh M2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 330 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 25 W | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
长度 10.4mm | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
高度 16.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN