STFW40N60M2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 34 A, Vds=650 V, 3针 TO-3PF封装
- RS 库存编号:
- 876-5651
- 制造商零件编号:
- STFW40N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 件）*
RMB42.22
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RMB47.71
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB42.22 |
| 25 - 49 | RMB33.85 |
| 50 - 149 | RMB32.86 |
| 150 - 299 | RMB30.21 |
| 300 + | RMB29.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5651
- 制造商零件编号:
- STFW40N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 34 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 88 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | TO-3PF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 63 W | |
| 高度 | 26.7mm | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 20.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 2500 pF @ 100 V | |
| 宽度 | 5.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 典型关断延迟时间 | 96 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 34 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 88 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 TO-3PF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 63 W | ||
高度 26.7mm | ||
系列 MDmesh M2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.7mm | ||
尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 20.5 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 100 V | ||
宽度 5.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
典型关断延迟时间 96 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- KR