STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 120 A, H2PAK, 贴片安装, 3引脚, STH175N4F6-2AG
- RS 库存编号:
- 876-5660P
- 制造商零件编号:
- STH175N4F6-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 120 | RMB11.162 |
| 125 - 245 | RMB10.802 |
| 250 - 995 | RMB7.202 |
| 1000 + | RMB7.188 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5660P
- 制造商零件编号:
- STH175N4F6-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | H2PAK | |
| 系列 | STripFET F6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 9.17mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 H2PAK | ||
系列 STripFET F6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 150 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V | ||
宽度 9.17mm | ||
长度 10.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
高度 4.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN