STL42P4LLF6 , P沟道 MOSFET 晶体管, 42 A, Vds=-40 V, 8针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 876-5682
- 制造商零件编号:
- STL42P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB62.11
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.211 | RMB62.11 |
| 100 - 240 | RMB5.041 | RMB50.41 |
| 250 - 490 | RMB4.861 | RMB48.61 |
| 500 - 2990 | RMB3.311 | RMB33.11 |
| 3000 + | RMB3.246 | RMB32.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5682
- 制造商零件编号:
- STL42P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 42 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 26 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 148 ns | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2850 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 5.4mm | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.4 x 0.95mm | |
| 系列 | STripFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 典型接通延迟时间 | 43 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 42 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 26 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 75 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 148 ns | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
典型输入电容值@Vds 2850 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V | ||
宽度 5.4mm | ||
尺寸 6.35 x 5.4 x 0.95mm | ||
系列 STripFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.35mm | ||
高度 0.95mm | ||
典型接通延迟时间 43 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN