STMicroelectronics P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 42 A, PowerFLAT 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, STL42P6LLF6
- RS 库存编号:
- 876-5685
- 制造商零件编号:
- STL42P6LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB69.31
(不含税)
RMB78.32
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.931 | RMB69.31 |
| 100 - 240 | RMB5.581 | RMB55.81 |
| 250 - 490 | RMB5.401 | RMB54.01 |
| 500 - 2990 | RMB3.601 | RMB36.01 |
| 3000 + | RMB3.594 | RMB35.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5685
- 制造商零件编号:
- STL42P6LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.1 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 100 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 5.4 | |
| 高度 | 0.95 | |
| 长度 | 6.35 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 42 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.1 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 100 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 5.4 | ||
高度 0.95 | ||
长度 6.35 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN