STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP18N65M2
- RS 库存编号:
- 876-5691
- 制造商零件编号:
- STP18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB72.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.44 | RMB72.20 |
| 25 - 120 | RMB11.686 | RMB58.43 |
| 125 - 245 | RMB10.514 | RMB52.57 |
| 250 - 995 | RMB9.346 | RMB46.73 |
| 1000 + | RMB7.468 | RMB37.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5691
- 制造商零件编号:
- STP18N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 330 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 MDmesh M2 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 330 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
长度 10.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
高度 15.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN