STMicroelectronics P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 10 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, STS10P4LLF6
- RS 库存编号:
- 876-5711
- 制造商零件编号:
- STS10P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB68.41
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.841 | RMB68.41 |
| 50 - 240 | RMB5.491 | RMB54.91 |
| 250 - 490 | RMB5.311 | RMB53.11 |
| 500 - 2490 | RMB3.606 | RMB36.06 |
| 2500 + | RMB3.535 | RMB35.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5711
- 制造商零件编号:
- STS10P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | -1.1 | |
| 最大功耗 Pd | 2.7 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 宽度 | 4 | |
| 长度 | 5 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 10 | ||
最大漏源电压 Vd 40 | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf -1.1 | ||
最大功耗 Pd 2.7 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 1.5 | ||
宽度 4 | ||
长度 5 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN