PD55008-E , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=40 V, 3针 Power SO 10RF封装
- RS 库存编号:
- 877-2810
- 制造商零件编号:
- PD55008-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 件）*
RMB104.30
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RMB117.86
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB104.30 |
| 10 - 249 | RMB88.70 |
| 250 - 499 | RMB70.40 |
| 500 - 999 | RMB65.40 |
| 1000 + | RMB61.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 877-2810
- 制造商零件编号:
- PD55008-E
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerSO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 52.8 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 58 pF @ 12.5 V | |
| 典型功率增益 | 17 dB | |
| 长度 | 9.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 3.5mm | |
| 最高工作温度 | +165 °C | |
| 尺寸 | 9.5 x 9.4 x 3.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerSO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 52.8 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 58 pF @ 12.5 V | ||
典型功率增益 17 dB | ||
长度 9.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 3.5mm | ||
最高工作温度 +165 °C | ||
尺寸 9.5 x 9.4 x 3.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY