SD57045 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=65（最低）V, 3针 M-243封装
- RS 库存编号:
- 877-2817P
- 制造商零件编号:
- SD57045
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB2,540.25
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB449.60 |
| 10 - 24 | RMB415.00 |
| 25 - 49 | RMB394.60 |
| 50 + | RMB382.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 877-2817P
- 制造商零件编号:
- SD57045
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 65 V | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | M243 | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 93 W | |
| 尺寸 | 20.57 x 6.1 x 4.45mm | |
| 典型功率增益 | 15 dB | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 长度 | 20.57mm | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.45mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 80 pF @ 28 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 65 V | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 M243 | ||
安装类型 面板安装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 93 W | ||
尺寸 20.57 x 6.1 x 4.45mm | ||
典型功率增益 15 dB | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
长度 20.57mm | ||
宽度 6.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.45mm | ||
典型输入电容值@Vds 80 pF @ 28 V | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- MA