可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB41.00
(不含税)
RMB46.32
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB20.50 | RMB41.00 |
| 10 - 48 | RMB16.50 | RMB33.00 |
| 50 - 98 | RMB13.50 | RMB27.00 |
| 100 - 248 | RMB12.00 | RMB24.00 |
| 250 + | RMB11.00 | RMB22.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 882-9783
- 制造商零件编号:
- NDPL180N10BG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0035 Ω | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 15.7mm | |
| 尺寸 | 10 x 4.5 x 15.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10mm | |
| 典型接通延迟时间 | 95 ns | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 6950 pF @ 50 V | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 典型关断延迟时间 | 185 ns | |
| 正向跨导 | 150S | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.0035 Ω | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 200 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 15.7mm | ||
尺寸 10 x 4.5 x 15.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10mm | ||
典型接通延迟时间 95 ns | ||
宽度 4.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 6950 pF @ 50 V | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
典型关断延迟时间 185 ns | ||
正向跨导 150S | ||
- COO (Country of Origin):
- KR