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小计（1 件）*
RMB180.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB180.00 |
| 2 - 4 | RMB144.00 |
| 5 - 9 | RMB116.00 |
| 10 - 49 | RMB103.00 |
| 50 + | RMB96.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 882-9834
- 制造商零件编号:
- NTP8G202NG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.35 Ω | |
| 最大栅源电压 | -18 V、+18 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 共源共栅 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 典型关断延迟时间 | 9.7 ns | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 2.1V | |
| 典型输入电容值@Vds | 760 pF @ 400 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 6.2 ns | |
| 晶体管材料 | GaN | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 0.35 Ω | ||
最大栅源电压 -18 V、+18 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 共源共栅 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 65 W | ||
典型关断延迟时间 9.7 ns | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 2.1V | ||
典型输入电容值@Vds 760 pF @ 400 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 6.2 ns | ||
晶体管材料 GaN | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
长度 10.53mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 15.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN