AP2281-3FMG-7 , P沟道 MOSFET 晶体管, 6针 U-DFN2018封装
- RS 库存编号:
- 885-5401
- 制造商零件编号:
- AP2281-3FMG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB61.00
(不含税)
RMB69.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.05 | RMB61.00 |
| 100 - 480 | RMB2.40 | RMB48.00 |
| 500 - 980 | RMB2.15 | RMB43.00 |
| 1000 - 1980 | RMB1.80 | RMB36.00 |
| 2000 + | RMB1.65 | RMB33.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 885-5401
- 制造商零件编号:
- AP2281-3FMG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 6 V | |
| 最大漏源电阻值 | 280 mΩ | |
| 封装类型 | U-DFN2018 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.41 W | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.3mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 正向二极管电压 | 6.5V | |
| 典型关断延迟时间 | 500 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 1000 ns | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 6 V | ||
最大漏源电阻值 280 mΩ | ||
封装类型 U-DFN2018 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.41 W | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.3mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
正向二极管电压 6.5V | ||
典型关断延迟时间 500 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 1000 ns | ||
最高工作温度 +125 °C | ||