MOSFET Transistor Array NPN/P SOT-363
- RS 库存编号:
- 885-5445
- 制造商零件编号:
- CTA2P1N-7-F
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB37.00
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RMB41.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.48 | RMB37.00 |
| 125 - 225 | RMB1.16 | RMB29.00 |
| 250 - 975 | RMB1.04 | RMB26.00 |
| 1000 - 1975 | RMB0.84 | RMB21.00 |
| 2000 + | RMB0.72 | RMB18.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 885-5445
- 制造商零件编号:
- CTA2P1N-7-F
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -40 V、+40 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 22 pF@ 25V, 30 pF@ -0.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 正向跨导 | 80S | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 115 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 13.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -40 V、+40 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 22 pF@ 25V, 30 pF@ -0.5 V | ||
典型关断延迟时间 11 ns | ||
正向跨导 80S | ||
宽度 1.35mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
长度 2.2mm | ||