DMG4511SK4-13, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 4针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 885-5482
- 制造商零件编号:
- DMG4511SK4-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB76.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.80 | RMB76.00 |
| 100 - 480 | RMB2.95 | RMB59.00 |
| 500 - 980 | RMB2.65 | RMB53.00 |
| 1000 - 1980 | RMB2.20 | RMB44.00 |
| 2000 + | RMB1.90 | RMB38.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 885-5482
- 制造商零件编号:
- DMG4511SK4-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 9.3 A，9.6 A | |
| 最大漏源电压 | 35 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 8.9 W | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.7 nC @ 10 V，19.2 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.7 x 6.2 x 2.39mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 33.2 ns, 45.8 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF@ 25 V ,985.2 pF@ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 9.3 A，9.6 A | ||
最大漏源电压 35 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 8.9 W | ||
宽度 6.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 18.7 nC @ 10 V，19.2 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.39mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm | ||
长度 6.7mm | ||
典型关断延迟时间 33.2 ns, 45.8 ns | ||
典型输入电容值@Vds 850 pF@ 25 V ,985.2 pF@ 25 V | ||
典型接通延迟时间 5.4 ns | ||