可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB52.17
(不含税)
RMB58.95
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB10.434 | RMB52.17 |
| 25 - 120 | RMB9.102 | RMB45.51 |
| 125 - 245 | RMB7.708 | RMB38.54 |
| 250 - 620 | RMB7.16 | RMB35.80 |
| 625 + | RMB6.758 | RMB33.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2150
- 制造商零件编号:
- SPA04N80C3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.3 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 38 W | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns | |
| 尺寸 | 10.65 x 4.85 x 16.15mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 570 pF @ 100 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 1.3 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.9V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 38 W | ||
宽度 4.85mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.15mm | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 72 ns | ||
尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 570 pF @ 100 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
长度 10.65mm | ||