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小计（1 包，共 40 件）*
RMB66.84
(不含税)
RMB75.52
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 40 - 160 | RMB1.671 | RMB66.84 |
| 200 - 960 | RMB1.46 | RMB58.40 |
| 1000 - 1960 | RMB1.236 | RMB49.44 |
| 2000 - 4960 | RMB1.146 | RMB45.84 |
| 5000 + | RMB1.085 | RMB43.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2169
- 制造商零件编号:
- BSL211SP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8.7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 654 pF @ -15 V | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 正向跨导 | 12.4S | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 110 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
系列 OptiMOS P | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8.7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 654 pF @ -15 V | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
正向跨导 12.4S | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
宽度 1.6mm | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||