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小计 30 件 (按管提供)*
RMB469.89
(不含税)
RMB530.97
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 30 - 147 | RMB15.663 |
| 150 - 297 | RMB13.27 |
| 300 - 747 | RMB12.32 |
| 750 + | RMB11.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2239P
- 制造商零件编号:
- IPW60R280E6
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13.8 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 280 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | CoolMOS E6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 71 ns | |
| 正向二极管电压 | 0.9V | |
| 典型输入电容值@Vds | 950 pF@ 100 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13.8 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 280 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 104 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 CoolMOS E6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 71 ns | ||
正向二极管电压 0.9V | ||
典型输入电容值@Vds 950 pF@ 100 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 10 V | ||
高度 21.1mm | ||
长度 16.13mm | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
宽度 5.21mm | ||