制造商编号

IPP126N10N3 G MOSFET 晶体管

RS 库存编号:: 892-2273
制造商零件编号:: IPP126N10N3 G
制造商:: Infineon

IPP126N10N3 G MOSFET 晶体管

查看所有MOSFET

可享批量折扣

小计（1 包，共 10 件）*

RMB78.57

(不含税)

RMB88.78

(含税)

库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位	每单位	每包*
10 - 90	RMB7.857	RMB78.57
100 - 490	RMB6.853	RMB68.53
500 - 990	RMB5.797	RMB57.97
1000 - 2490	RMB5.386	RMB53.86
2500 +	RMB5.09	RMB50.90

* 参考价格

RS 库存编号:: 892-2273
制造商零件编号:: IPP126N10N3 G
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品概述和技术数据表

法例与合规

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	58 A
	最大漏源电压	100 V
	最大漏源电阻值	23.5 mΩ
	最大栅阈值电压	3.5V
	最小栅阈值电压	2V
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	晶体管配置	单
	引脚数目	3
	通道模式	增强
	类别	功率 MOSFET
	最大功率耗散	94 W
	宽度	4.57mm
	每片芯片元件数目	1
	典型接通延迟时间	14 ns
	最低工作温度	-55 °C
	典型栅极电荷@Vgs	26 nC @ 10 V
	典型输入电容值@Vds	1880 pF @ 50 V
	最高工作温度	+175 °C
	长度	10.36mm
	尺寸	10.36 x 4.57 x 15.95mm
	晶体管材料	Si
	高度	15.95mm
	正向二极管电压	1.2V
	系列	OptiMOS 3
	正向跨导	57S
	典型关断延迟时间	24 ns

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 58 A
	最大漏源电压 100 V
	最大漏源电阻值 23.5 mΩ
	最大栅阈值电压 3.5V
	最小栅阈值电压 2V
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	晶体管配置单
	引脚数目 3
	通道模式增强
	类别功率 MOSFET
	最大功率耗散 94 W
	宽度 4.57mm
	每片芯片元件数目 1
	典型接通延迟时间 14 ns
	最低工作温度 -55 °C
	典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V
	典型输入电容值@Vds 1880 pF @ 50 V
	最高工作温度 +175 °C
	长度 10.36mm
	尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm
	晶体管材料 Si
	高度 15.95mm
	正向二极管电压 1.2V
	系列 OptiMOS 3
	正向跨导 57S
	典型关断延迟时间 24 ns

相关链接