可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB73.50
(不含税)
RMB83.10
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB7.35 | RMB73.50 |
| 50 - 240 | RMB6.41 | RMB64.10 |
| 250 - 490 | RMB5.428 | RMB54.28 |
| 500 - 1240 | RMB5.037 | RMB50.37 |
| 1250 + | RMB4.763 | RMB47.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2289
- 制造商零件编号:
- IPI147N12N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 56 A | |
| 最大漏源电压 | 120 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14.7 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 107 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 正向跨导 | 62S | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.572 x 9.45mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.572mm | |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 2420 pF @ 60 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 56 A | ||
最大漏源电压 120 V | ||
最大漏源电阻值 14.7 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 107 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
晶体管材料 Si | ||
正向跨导 62S | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 9.45mm | ||
尺寸 10.36 x 4.572 x 9.45mm | ||
长度 10.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.572mm | ||
典型关断延迟时间 24 ns | ||
典型输入电容值@Vds 2420 pF @ 60 V | ||