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小计（1 包，共 10 件）*
RMB69.27
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.927 | RMB69.27 |
| 50 - 240 | RMB6.051 | RMB60.51 |
| 250 - 490 | RMB5.122 | RMB51.22 |
| 500 - 1240 | RMB4.752 | RMB47.52 |
| 1250 + | RMB4.499 | RMB44.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2292
- 制造商零件编号:
- IPP100N08N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 70 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 59S | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1810 pF @ 40 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 70 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 18.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 100 W | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 59S | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
宽度 4.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 15.95mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.36mm | ||
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1810 pF @ 40 V | ||