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小计（1 包，共 50 件）*
RMB59.15
(不含税)
RMB66.85
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.183 | RMB59.15 |
| 250 - 1200 | RMB1.033 | RMB51.65 |
| 1250 - 2450 | RMB0.874 | RMB43.70 |
| 2500 - 6200 | RMB0.811 | RMB40.55 |
| 6250 + | RMB0.769 | RMB38.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2295
- 制造商零件编号:
- BF 998 E6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 mA | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -2.5 V、-2 V | |
| 封装类型 | SOT-143 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 类别 | MOSFET Tetrode | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 宽度 | 1mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1.2 pF@ 8 V, 2.1 pF@ 8 V | |
| 典型功率增益 | 28 dB | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.9 x 1 x 1.3mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 mA | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -2.5 V、-2 V | ||
封装类型 SOT-143 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
类别 MOSFET Tetrode | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
宽度 1mm | ||
典型输入电容值@Vds 1.2 pF@ 8 V, 2.1 pF@ 8 V | ||
典型功率增益 28 dB | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.9 x 1 x 1.3mm | ||
长度 2.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.3mm | ||