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小计（1 包，共 10 件）*
RMB66.84
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.684 | RMB66.84 |
| 100 - 490 | RMB5.84 | RMB58.40 |
| 500 - 990 | RMB4.942 | RMB49.42 |
| 1000 - 2490 | RMB4.583 | RMB45.83 |
| 2500 + | RMB4.34 | RMB43.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2305
- 制造商零件编号:
- IPP530N15N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 53 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 68 W | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 21S | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 典型关断延迟时间 | 13 ns | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 667 pF @ 75 V | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 53 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 68 W | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 21S | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.57mm | ||
典型关断延迟时间 13 ns | ||
尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 15.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 667 pF @ 75 V | ||
长度 10.36mm | ||