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小计（1 包，共 10 件）*
RMB65.37
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.537 | RMB65.37 |
| 50 - 240 | RMB5.702 | RMB57.02 |
| 250 - 490 | RMB4.826 | RMB48.26 |
| 500 - 1240 | RMB4.477 | RMB44.77 |
| 1250 + | RMB4.235 | RMB42.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2309
- 制造商零件编号:
- IPA093N06N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 43 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9.3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 33 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 2900 pF @ 30 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 10.65 x 4.85 x 16.15mm | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 51S | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 43 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 9.3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 33 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 16.15mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 30 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm | ||
长度 10.65mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 51S | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.85mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||