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小计（1 包，共 25 件）*
RMB65.80
(不含税)
RMB74.35
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.632 | RMB65.80 |
| 50 - 225 | RMB2.298 | RMB57.45 |
| 250 - 600 | RMB1.943 | RMB48.58 |
| 625 - 1225 | RMB1.804 | RMB45.10 |
| 1250 + | RMB1.706 | RMB42.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 892-2361
- 制造商零件编号:
- BSP321P
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 980 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 3.5mm | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 1.6 x 3.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5.9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF @ -25 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 典型关断延迟时间 | 16.5 ns | |
| 正向跨导 | 1.2S | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 980 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 3.5mm | ||
系列 SIPMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 1.6 x 3.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5.9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 240 pF @ -25 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
典型关断延迟时间 16.5 ns | ||
正向跨导 1.2S | ||