LT1013DDR 运算放大器, 1MHz, 12 V、15 V、18 V、24 V、28 V、5 V、9 V电源, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 527-215
- 制造商零件编号:
- LT1013DDR
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB9.05 | RMB45.25 |
| 25 - 95 | RMB6.80 | RMB34.00 |
| 100 - 245 | RMB5.90 | RMB29.50 |
| 250 - 495 | RMB5.70 | RMB28.50 |
| 500 + | RMB5.472 | RMB27.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 527-215
- 制造商零件编号:
- LT1013DDR
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 电源类型 | 双，单 | |
| 每片芯片通道数目 | 2 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 典型单电源电压 | 5 → 28 V | |
| 典型增加带宽产品 | 1MHz | |
| 典型双电源电压 | ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V | |
| 典型转换速率 | 0.4V/µs | |
| 最低工作温度 | 0 °C | |
| 最高工作温度 | +70 °C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 高度 | 1.58mm | |
| 宽度 | 3.91mm | |
| 典型电压增益 | 120 dB | |
| 典型输入电压噪声密度 | 24nV/√Hz | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 SOIC | ||
电源类型 双，单 | ||
每片芯片通道数目 2 | ||
引脚数目 8 | ||
典型单电源电压 5 → 28 V | ||
典型增加带宽产品 1MHz | ||
典型双电源电压 ±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V | ||
典型转换速率 0.4V/µs | ||
最低工作温度 0 °C | ||
最高工作温度 +70 °C | ||
长度 4.9mm | ||
高度 1.58mm | ||
宽度 3.91mm | ||
典型电压增益 120 dB | ||
典型输入电压噪声密度 24nV/√Hz | ||
尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH