STMicroelectronics MOSFET, MDmesh K5, SuperMESH5 系列, N沟道, Si, Vds=800 V, 19.5 A, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
- RS 库存编号:
- 103-2010P
- 制造商零件编号:
- DF40HC(3.5)-60DS-0.4V(58)
- 制造商:
- Hirose
可享批量折扣
小计 5 件 (按连续条带形式提供)*
RMB398.65
(不含税)
RMB450.45
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 19 | RMB79.73 |
| 20 - 49 | RMB72.86 |
| 50 + | RMB63.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 103-2010P
- 制造商零件编号:
- DF40HC(3.5)-60DS-0.4V(58)
- 制造商:
- Hirose
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Hirose | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19.5 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 260 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| 宽度 | 8.95mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Hirose | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19.5 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 260 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
宽度 8.95mm | ||
高度 4.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V | ||
长度 10mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||