H55S5122DFR-E3, 512Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 1.7 → 1.95 V, 90针 FBGA封装
- RS 库存编号:
- 668-6228P
- 制造商零件编号:
- H55S5122DFR-E3
- 制造商:
- Hynix
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB62.00 |
| 10 - 49 | RMB54.50 |
| 50 - 99 | RMB49.10 |
| 100 + | RMB45.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 668-6228P
- 制造商零件编号:
- H55S5122DFR-E3
- 制造商:
- Hynix
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Hynix | |
| 存储器大小 | 512Mbit | |
| 组织 | 16M x 32 位 | |
| 数据速率 | 166MHz | |
| 数据总线宽度 | 32Bit | |
| 位址总线宽 | 16Bit | |
| 每字组的位元数目 | 32Bit | |
| 最长随机存取时间 | 6ns | |
| 字组数目 | 4M | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | FBGA | |
| 引脚数目 | 90 | |
| 尺寸 | 13 x 8 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 13mm | |
| 最大工作电源电压 | 1.95 V | |
| 最小工作电源电压 | 1.7 V | |
| 宽度 | 8mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 最低工作温度 | -30 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Hynix | ||
存储器大小 512Mbit | ||
组织 16M x 32 位 | ||
数据速率 166MHz | ||
数据总线宽度 32Bit | ||
位址总线宽 16Bit | ||
每字组的位元数目 32Bit | ||
最长随机存取时间 6ns | ||
字组数目 4M | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 FBGA | ||
引脚数目 90 | ||
尺寸 13 x 8 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
长度 13mm | ||
最大工作电源电压 1.95 V | ||
最小工作电源电压 1.7 V | ||
宽度 8mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
最低工作温度 -30 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR