onsemi 单向, SZMMBZ15VALT3G 2 TVS二极管, 共阳极, 表面安装, 最小击穿14.25 V, 40 W, SOT-23, 3引脚
- RS 库存编号:
- 781-5461
- 制造商零件编号:
- SZMMBZ15VALT3G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.72 | RMB36.00 |
| 100 - 200 | RMB0.63 | RMB31.50 |
| 250 - 450 | RMB0.54 | RMB27.00 |
| 500 - 950 | RMB0.45 | RMB22.50 |
| 1000 + | RMB0.406 | RMB20.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 781-5461
- 制造商零件编号:
- SZMMBZ15VALT3G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | TVS二极管 | |
| 方向类型 | 单向 | |
| 二极管配置 | 共阳极 | |
| 最小击穿电压 Vbr | 14.25V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 最大反向关断电压 Vwm | 8.5V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 峰值脉冲功耗 Pppm | 40W | |
| 最大峰值脉冲电流 Ippm | 1.9A | |
| 钳位电压 VC | 21V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| ESD 保护 | 是 | |
| 测试电流 It | 1mA | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 系列 | MMBZ A | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最大反向漏电流 | 50nA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 TVS二极管 | ||
方向类型 单向 | ||
二极管配置 共阳极 | ||
最小击穿电压 Vbr 14.25V | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
最大反向关断电压 Vwm 8.5V | ||
引脚数目 3 | ||
峰值脉冲功耗 Pppm 40W | ||
最大峰值脉冲电流 Ippm 1.9A | ||
钳位电压 VC 21V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
ESD 保护 是 | ||
测试电流 It 1mA | ||
最高工作温度 150°C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 1.01mm | ||
系列 MMBZ A | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最大反向漏电流 50nA | ||
40W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON Semiconductor
SOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。