IRLR8721PBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 65 A, Vds=30 V, 3针 D-PAK封装

此图片代表整个产品系列,仅供参考。

不可供应
RS 不再对该产品备货。

替代产品

该产品我们目前不提供。 这是我们推荐的替代产品。

个(每托盘 5 )

RMB42.02

(不含税)

RMB47.48

(含税)

RS 库存编号:
688-7241
制造商零件编号:
IRLR8721PBF
制造商:
International Rectifier
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

International Rectifier

通道类型

N

最大连续漏极电流

65 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

8 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

D-PAK

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

65 W

典型关断延迟时间

9.4 ns

典型输入电容值@Vds

1030 pF @ 15 V

最低工作温度

-55 °C

系列

HEXFET

典型接通延迟时间

8.8 ns

每片芯片元件数目

1

长度

6.73mm

高度

2.39mm

宽度

6.22mm

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

8.5 nC @ 4.5 V

尺寸

6.73 x 6.22 x 2.39mm