- RS 库存编号 818-1346
- 制造商零件编号 SI5855CDC-T1-E3
| Vishay | - | - | P | 3 A | - | 20 V | - | - | - | 222 mΩ | - | 表面贴装 | - | 8 | 0.45V | -8 V、+8 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 2.8 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.7mm | - | 3.1mm | 1.1mm | 4.5 nC @ 5 V | Si | 1 |
|
- RS 库存编号 812-3136
- 制造商零件编号 SI2367DS-T1-GE3
| Vishay | - | - | P | 2.2 A | - | 20 V | - | - | - | 130 mΩ | - | 表面贴装 | - | 3 | 0.4V | -8 V、+8 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 1.7 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.4mm | - | 3.04mm | 1.02mm | 15 nC @ 8 V | Si | 1 |
|
- RS 库存编号 818-1283
- 制造商零件编号 SI4823DY-T1-GE3
| Vishay | - | - | P | 3.3 A | - | 20 V | - | - | - | 175 mΩ | - | 表面贴装 | - | 8 | 0.6V | -12 V、+12 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 2.8 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 4mm | - | 5mm | 1.55mm | 8 nC @ 10 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 725-9287
- 制造商零件编号 IRFH5300TR2PBF
| International Rectifier | - | - | N | 40 A | - | 30 V | - | - | - | 1 mΩ | HEXFET | 表面贴装 | 2.35V | 8 | 1.35V | -20 V、+20 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 3.6 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 6mm | - | 5mm | 0.85mm | 120 nC @ 10 V,50 nC @ 4.5 V | - | 1 |
|
- RS 库存编号 812-3104P
- 制造商零件编号 Si1965DH-T1-GE3
| Vishay | - | - | P | 1.2 A | - | 12 V | - | - | - | 710 mΩ | - | 表面贴装 | - | 6 | 0.4V | -8 V、+8 V | - | 增强 | 隔离式 | - | -55 °C | 1.25 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.35mm | - | 2.2mm | 1mm | 2.8 nC @ 8 V | Si | 2 |
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- RS 库存编号 812-3041P
- 制造商零件编号 SI1070X-T1-GE3
| Vishay | - | - | N | 1.2 A | - | 30 V | - | - | - | 140 mΩ | - | 表面贴装 | - | 6 | 0.7V | -12 V、+12 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 236 mW | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.2mm | - | 1.7mm | 0.6mm | 3.8 nC @ 4.5 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 857-7022
- 制造商零件编号 IPP80P04P4L-08
小计(1 管,共 500 件) RMB2,287.00(不含税)RMB4.574/件 | Infineon | - | - | P | 80 A | - | 40 V | - | - | - | 13.3 mΩ | OptiMOS P | 通孔 | 2.2V | 3 | 1.2V | -16 V、+16 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 75 W | - | - | - | +175 °C | 功率 MOSFET | 4.4mm | - | 10mm | 15.65mm | 71 nC @ 10 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 862-8754
- 制造商零件编号 FQD4P25TM_WS
| Fairchild Semiconductor | - | - | P | 3.1 A | - | 250 V | - | - | - | 2.1 Ω | QFET | 表面贴装 | - | 3 | 3V | -30 V、+30 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 45 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 6.22mm | - | 6.73mm | 2.39mm | 10.3 nC @ 10 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 830-3316
- 制造商零件编号 IRLML2402GTRPBF
| International Rectifier | - | - | N | 1.2 A | - | 20 V | - | - | - | 350 mΩ | HEXFET | 表面贴装 | 0.7V | 3 | 0.7V | -12 V、+12 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 540 mW | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.4mm | - | 3.04mm | 1.02mm | 2.6 nC @ 4.5 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 857-6842
- 制造商零件编号 IPP052N06L3G
小计(1 管,共 500 件) RMB3,352.00(不含税)RMB6.704/件 | Infineon | MOSFET | N型 | - | - | 80A | - | 60V | TO-220 | TO-220 | - | OptiMOS 3 | 通孔 | - | 3 | - | - | 4.7mΩ | 增强 | - | 37nC | -55°C | - | 115W | - | 1V | 175°C | - | - | No | 10.36mm | 15.95mm | - | - | - |
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- RS 库存编号 739-6323P
- 制造商零件编号 FDMS7558S
| Fairchild Semiconductor | - | - | N | 199 A | - | 25 V | - | - | - | 1.8 mΩ | - | 表面贴装 | - | 8 | 1.2V | -20 V、+20 V | - | 增强 | - | - | -55 °C | 89 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 6mm | - | 5mm | 1.05mm | 85 nC @ 10 V | - | 1 |
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- RS 库存编号 751-5341P
- 制造商零件编号 ZXMHC3A01N8TC
| DiodesZetex | - | - | N,P | 2.1 A,2.7 A | - | 30 V | - | - | - | 180 mΩ、330 mΩ | - | 表面贴装 | 3V | 8 | - | -20 V、+20 V | - | 增强 | 全桥 | - | -55 °C | 1.36 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 4mm | - | 5mm | 1.5mm | 3.9 nC @ 10 V,5.2 nC @ 10 V | Si | 4 |
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- RS 库存编号 826-9349
- 制造商零件编号 BSR92PL6327
| Infineon | - | - | P | 140 mA | - | 250 V | - | - | - | 11 Ω | - | 表面贴装 | 1V | 3 | 2V | -20 V、+20 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 500 mW | - | - | - | +150 °C | 小信号 | 1.6mm | - | 3mm | 1.1mm | 3.6 nC @ 10 V | - | 1 |
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- RS 库存编号 827-4846P
- 制造商零件编号 CSD17483F4
| Texas Instruments | - | - | N | 1.5 A | - | 30 V | - | - | - | 370 mΩ | FemtoFET | 表面贴装 | 1.1V | 3 | 0.65V | -12 V、+12 V | - | 增强 | - | - | -55 °C | 500 mW | - | - | - | +150 °C | FemtoFET MOSFET | 0.64mm | - | 1.04mm | 0.35mm | 1.01 nC @ 4.5 V | - | 1 |
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- RS 库存编号 827-6268P
- 制造商零件编号 TK72A12N1,S4X(S
小计 4 件 (以袋装提供) RMB63.192(不含税)RMB15.798/件 | Toshiba | MOSFET | N | - | - | 72 | - | 120 | TO-220 | TO-220 | - | TK | 通孔 | - | 3 | - | - | - | 增强 | - | 130 | - | - | 45 | 20 | -1.2 | 150 | - | 4.5 | No | 10 | 15 | - | - | - |
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- RS 库存编号 818-1312
- 制造商零件编号 SI5419DU-T1-GE3
| Vishay | - | - | P | 9.9 A | - | 30 V | - | - | - | 33 mΩ | - | 表面贴装 | - | 8 | 1.2V | -20 V、+20 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 31 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 1.98mm | - | 3.08mm | 0.85mm | 30 nC @ 10 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 814-1320P
- 制造商零件编号 SIZ904DT-T1-GE3
| Vishay | - | - | N | 9.5 A,14.5 A | - | 30 V | - | - | - | 17 mΩ,30 mΩ | PowerPAIR | 表面贴装 | - | 8 | 1V | -20 V、+20 V | - | 增强 | 串行 | - | -55 °C | 20 W, 33 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 5.1mm | - | 6.1mm | 0.7mm | 15.4 nC @ 10 V,8 nC @ 10 V | Si | 2 |
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- RS 库存编号 813-0705
- 制造商零件编号 SIHL640STRL-GE3
| Vishay | - | - | N | 17 A | - | 200 V | - | - | - | 270 mΩ | - | 表面贴装 | - | 3 | 1V | -10 V、+10 V | - | 增强 | 单 | - | -55 °C | 125 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | - | - | - | - | 66 nC @ 5 V | Si | 1 |
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- RS 库存编号 728-6854
- 制造商零件编号 FG6943010R
| Panasonic | - | - | N,P | 100 mA | - | 30 V | - | - | - | 6 Ω,17 Ω | FG | 表面贴装 | 1.5V | 6 | - | -20 V、+20 V | - | 增强 | 隔离式 | - | - | 125 mW | - | - | - | +150 °C | 小信号 | 1.2mm | - | 1.6mm | 0.5mm | - | Si | 2 |
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- RS 库存编号 719-2948
- 制造商零件编号 NTMFS4852NT3G
| ON Semiconductor | - | - | N | 40 A | - | 30 V | - | - | - | 3.3 mΩ | - | 表面贴装 | - | 8 | - | -20 V、+20 V | - | 增强 | - | - | -55 °C | 2.31 W | - | - | - | +150 °C | 功率 MOSFET | 6.1mm | - | 5.1mm | 1.1mm | 34.3 nC @ 4.5 V | - | 1 |